新闻资讯

阅读排行

> 世爵娱乐平台 >

重庆研讨院等三维石墨烯异质结光电探测器件研究获进展

发布日期:2017-09-09 13:39

重庆研究院等三维石墨烯异质结光电探测器件研究获进展

  近日,中国科学院重庆绿色智能技巧研究院微纳制造与系统集成研究中心与喷鼻香港中文大学、电子科技大年夜学和重庆理工大学共同,在基于硅名义的三维石墨烯原位生长技能上,取得高性能异质结光电探测器方面的研究进展,相关内容以High-performanceSchottkyheterojunctionphotodetectorwithdirectlygrowngraphenenanowallsaselectrodes为题发布在Nanoscale期刊上。

  利用石墨烯作为电极的肖特基结光电探测器存在暗电流低、响应速度快跟正面入射等优势。然而,世爵平台用户登陆,二维石墨烯薄膜无法在硅基衬底实现原位生长,石墨烯电极的形成需要采用基于无机支撑材料的湿法或者干法转移工艺,而转移工艺不成避免的无机残留会构成石墨烯-硅异质结结界面的沾染,降落肖特基势垒品质,从而影响光电探测器的光电照应;此外,二维石墨烯薄膜成长所需的金属催化剂在转移过程的残留也会对器件品德产生倒霉影响。三维石墨烯墙是由纵向生长的多层石墨烯形成的网格互连结构,保留了石墨烯薄膜拉曼特色峰;同时,三维石墨烯无需金属催化,可在硅衬底完成原位生长,防止金属催化剂跟转移进程无机残留传染。

  该研究应用三维石墨烯墙原位生长完成的超清洁硅-石墨烯界面,完成了高机能的光电探测器。实验掉失落肖特基结空想因子小于1,世爵平台用户登陆.2,世爵平台用户登陆,探测器的开关比达到2×107,呼应度大于0.57A/W,呼应时间小于25ms,3dB截止频率年夜于8.5kHz,测试和打算的比探测率辨别到达5.88×1013cmHz1/2/W和2.27×1014cmHz1/2/W。该研究失掉了国家自然迷信基金、重庆市基础与前沿研讨盘算重点项目等经费支持。

石墨烯纳米墙及其光探测器构造图和光探测器低噪声电流示意图